Титановый лист 1х580х800 мм ОТ4-1 в Нальчике

Низкотемпературная обработка может незначительно улучшить твердость и износостойкость титанового листа ВТ6. В целом, титановые сплавы, включая ВТ6, сохраняют свои механические свойства и не становятся хрупкими при очень низких температурах, что делает их пригодными для криогенных применений.

Удлинение при разрыве для титанового листа ПТ3В составляет не менее 20%. Этот показатель характеризует пластичность материала и его способность к пластической деформации перед разрушением.

Титановый лист ВТ6 значительно превосходит ОТ4-0 по жаропрочности при температурах свыше 500°C. ВТ6 сохраняет высокие прочностные характеристики до 450-500°C, в то время как ОТ4-0 теряет свои свойства при более низких температурах. ВТ6 содержит больше легирующих элементов, стабилизирующих структуру при нагреве.

Степень чистоты титанового листа ВТ1-0 напрямую влияет на его коррозионную стойкость в особо чистых средах. Чем выше чистота, тем стабильнее и однороднее пассивный оксидный слой, что обеспечивает максимальную устойчивость к коррозии и минимальное выделение ионов.

Титановый лист ОТ4-0 значительно прочнее титанового листа ВТ1-0 при растяжении. Предел прочности ОТ4-0 выше благодаря легированию алюминием и марганцем, которые упрочняют кристаллическую решетку. ВТ1-0 является технически чистым титаном с меньшей прочностью, но большей пластичностью.

Перед сваркой титанового листа рекомендованы механическая и химическая очистка поверхности. Механическая очистка включает удаление оксидного слоя и загрязнений щеткой из нержавеющей стали или абразивной обработкой. Химическая очистка — травление в растворах кислот для удаления остаточных оксидов. Очистка должна быть тщательной, непосредственно перед сваркой.

Толщина титанового листа 10 мм обеспечивает высокую прочность для ответственных конструкций в судостроении. Например, для корпусов подводных аппаратов или элементов, подверженных значительным нагрузкам. При этом титан сохраняет преимущество в весе по сравнению со сталью аналогичной прочности.